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樹(shu)(shu)脂(zhi)的(de)熱(re)膨脹系數(shu)平均(jun)約為65×10-6m/cm/℃;,比對(dui)封(feng)裝(zhuang)樹(shu)(shu)脂(zhi)中的(de)金屬埋人件的(de)熱(re)膨脹系數(shu)大很多。半導體(ti)所用的(de)框架(LEADFRAME)與環氧(yang)樹(shu)(shu)脂(zhi)相差甚遠。若(ruo)以純樹(shu)(shu)脂(zhi)來。

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摘要:主要介紹了(le)(le)氣相法二(er)氧(yang)化硅及表(biao)面(mian)改(gai)性(xing)的(de)氣相法二(er)氧(yang)化硅的(de)表(biao)面(mian)結構、改(gai)性(xing)劑的(de)種類及改(gai)性(xing)方法,介紹了(le)(le)改(gai)性(xing)氣相法二(er)氧(yang)化硅的(de)應用前(qian)景。關鍵(jian)詞(ci):二(er)氧(yang)化硅;改(gai)性(xing);有。

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電子工業用二氧化硅粉料的生產方法-《安徽科技》1996年第07期-吾

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