金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧(yang)化物碳化硅避雷器電力電纜(lan)電壓(ya)響應過沖保(bao)護性能殘壓(ya)測試回(hui)路相近似電流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖(chong)激光退火納(na)米碳化硅(gui)的(de)光致發(fa)光于(yu)威,何杰,孫運濤,韓理,在電流激發(fa)方面存在較大困難(nan),因(yin)此對碳化硅(gui)發(fa)光材料的(de)制備(bei)及發(fa)光特性進行分析對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學(xue)碩士學(xue)位論文納(na)米碳化硅的脈沖(chong)激光(guang)燒蝕沉(chen)積(ji)及其光(guang)學(xue)特性研(yan)究姓名:孫運濤(JFET,可達(da)到電(dian)(dian)流水(shui)平(ping)400mA/mm,電(dian)(dian)導的指(zhi)標(biao)lOOmS/mm)以(yi)及用6H—SiC制作的金屬(shu)。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日(ri)-1998年已有頻率(lv)(lv)(lv)1.3GHz,脈沖輸出功(gong)率(lv)(lv)(lv)400W的報(bao)道[;。2.2碳化硅功(gong)率(lv)(lv)(lv)雙(shuang)極與碳化硅功(gong)率(lv)(lv)(lv)MOS相比,對3000V以(yi)上的阻斷電壓,其通態電流密度可(ke)以(yi)高(gao)出幾(ji)個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文(wen)]2007年5月28日(ri)-從而具有非常高的(de)(de)(de)(de)浪涌(yong)電流承(cheng)受能力和穩(wen)定的(de)(de)(de)(de)過壓(ya)中的(de)(de)(de)(de)PFC級應用(yong)在(zai)瞬時脈沖和過壓(ya)狀態下具有更(geng)高利用(yong)具有獨(du)特性(xing)能的(de)(de)(de)(de)碳(tan)化硅作為器件(jian)材(cai)料,能制造出(chu)。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高(gao)(gao)頻脈沖電(dian)鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕(shi)性耐(nai)磨性陽極(ji)(ji)極(ji)(ji)化(hua)結構研(yan)究(jiu)了電(dian)源頻率、占空比、陰極(ji)(ji)電(dian)流密(mi)度及鍍液中鈷1袁(yuan)逖;高(gao)(gao)頻脈沖電(dian)沉積鎳鈷碳化(hua)硅鍍層耐(nai)蝕(shi)性耐(nai)磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用60m長的(de)(de)(de)138kV電(dian)力電(dian)纜產生的(de)(de)(de)幾十萬伏、2萬安以(yi)上的(de)(de)(de)電(dian)流、波頭(tou)時間約50ns的(de)(de)(de)脈沖(chong)。被試品為9kV金屬氧化(hua)物(wu)及碳化(hua)硅避雷(lei)器(qi)。避雷(lei)器(qi)的(de)(de)(de)電(dian)壓(ya)響應包括陡的(de)(de)(de)過(guo)沖(chong)電(dian)壓(ya)。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美國(guo)陸軍研究人員(yuan)正在向行業(ye)尋(xun)求開發進(jin)的碳化(hua)硅(SiC)半(ban)導體功率電子(zi)技術種高(gao)等級配置的高(gao)壓開關,脈(mo)沖(chong)電壓15000V,小電壓10000V,電流峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準(zhun)分(fen)子脈沖激光退(tui)火技(ji)術制備了(le)納(na)米晶態(tai)碳化硅薄膜(nc—SiC),并對薄膜的(de)(de)光致發光(PL)特性進行了(le)分(fen)析。結果表明,納(na)米SiC薄膜的(de)(de)光致發光表現為300-600nm.范圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為驅(qu)(qu)動(dong)脈沖(chong)電(dian)壓,驅(qu)(qu)動(dong)電(dian)流為脈沖(chong)電(dian)流.V為驅(qu)(qu)動(dong)脈沖(chong)電(dian)壓,驅(qu)(qu)動(dong)電(dian)流為脈沖(chong)電(dian)流.收藏此頁(ye)推(tui)薦給好友09-23[技術資訊(xun)]碳化硅在高溫范圍(wei)內具(ju)有低開關損耗的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這種改進(jin)的(de)(de)過壓(ya)和浪涌(yong)電(dian)(dian)流能(neng)力可(ke)以(yi)使二(er)極管(guan)(guan)的(de)(de)壓(ya)力減(jian)小,使應用具有更高的(de)(de)可(ke)靠性。SiC肖特基二(er)極管(guan)(guan)——適合(he)各(ge)種供電(dian)(dian)條件(jian)的(de)(de)解決(jue)方案利用具有獨特性能(neng)的(de)(de)碳化硅(gui)作為(wei)器件(jian)。
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論(lun)(lun)文(wen)天下提(ti)供(gong)的<高(gao)頻(pin)脈沖電沉(chen)積鎳(nie)鈷碳化(hua)硅鍍層耐(nai)蝕性(xing)耐(nai)磨(mo)性(xing)的研究(jiu);論(lun)(lun)文(wen)包(bao)括高(gao)頻(pin)脈沖電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性(xing)耐(nai)磨(mo)性(xing)陽(yang)極極化(hua)結構等其他相關內容(rong)論(lun)(lun)文(wen)。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-收費碩士博士
諸(zhu)暨市特(te)(te)耐工程陶瓷有(you)限公司碳化硅脈沖類型:脫(tuo)硫(liu)除(chu)塵器林(lin)格(ge)曼(man)黑(hei)度:3級品牌:帕特(te)(te)納(na)型號:碳化硅噴嘴脫(tuo)硫(liu)率(lv)(lv):97(%)除(chu)塵率(lv)(lv):96(%)阻力損失:-(Pa),環(huan)球貿易網為(wei)您提供(gong)。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年8月17日-0405SC-2200M碳(tan)化硅晶體管(guan),射頻(pin)峰值(zhi)功率(lv)達2200瓦(wa),可用于大功率(lv)超高頻(pin)脈沖系統的另一些優點(dian)包括(kuo)簡化阻抗匹配,125伏的操縱電壓,低電導電流(liu),高峰值(zhi)。
碳化硅脈沖
溫度脈沖方法制(zhi)備碳(tan)/碳(tan)化硅復合材(cai)料界面(mian)的(de)微觀結構與性能研(yan)究(jiu)袁(yuan)明,黃政仁,董紹明,朱云洲,江東亮(liang)中國科學院上海(hai)硅酸(suan)鹽(yan)研(yan)究(jiu)所,上海(hai)200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)碩士(shi)(shi)學(xue)位論文納米碳化硅(gui)的脈沖激光(guang)(guang)(guang)燒蝕沉積及其光(guang)(guang)(guang)學(xue)特性研究姓名:孫運(yun)濤申請(qing)學(xue)位級別:碩士(shi)(shi)專業:光(guang)(guang)(guang)學(xue)指導教師:于威20030101摘要本工作采用(yong)脈沖激光(guang)(guang)(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美(mei)國陸軍研究人(ren)員(yuan)正(zheng)在向行業尋求開發(fa)進(jin)的(de)碳化硅(gui)(SiC)半導(dao)體功率電子技(ji)術種高等級配置(zhi)的(de)高壓(ya)開關(guan),脈沖(chong)電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流峰(feng)值30A,。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究.pdf-畢業論文-
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美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-新華軍事-新華網
[圖文(wen)]從而具有非常高的浪涌電流(liu)承受(shou)能(neng)力和穩定的過壓特(te)性。網(wang)中的PFC級應用在瞬時(shi)脈沖和過壓狀態下(xia)具有更高的利用具有獨特(te)性能(neng)的碳(tan)化硅作為器(qi)件材料,能(neng)制造出接近。
FGD脈沖懸浮泵碳化硅噴嘴脫硫除塵設備-中國供應商
通過(guo)激光(guang)(guang)脈沖(chong)波(bo)形與光(guang)(guang)電流(liu)脈沖(chong)波(bo)形的比較(jiao),估算出2種(zhong)光(guang)(guang)導(dao)開關(guan)的載流(liu)子壽(shou)命和載流(liu)子的基(ji)礎上改進設(she)計,研制出了工(gong)作電壓超過(guo)10kV、工(gong)作電流(liu)超過(guo)90A的碳化硅光(guang)(guang)導(dao)。
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壓敏電阻器_百度百科
銷售本產品設備的公(gong)(gong)司(si)(si)位于(yu)河南鄭州,碳化硅袋式脈(mo)沖(chong)除(chu)塵器技術,脈(mo)沖(chong)除(chu)塵設備美化高手河南嵩陽機械有限公(gong)(gong)司(si)(si)是碳化硅袋式脈(mo)沖(chong)除(chu)塵器,本公(gong)(gong)司(si)(si)相(xiang)關產品<ahref=。
影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年9月26日-這(zhe)些測試包括(kuo)使用1祍脈沖,開關時(shi)間比為1000,在(zai)“開”狀(zhuang)態(tai)驅動電流是(shi)100本文(wen)鏈接:碳化硅電子:全球協會(hui)提倡SiC高頻PI:/news。
碳化硅脈沖除塵設備_碳化硅脈沖除塵設備價格_碳化硅脈沖除塵
[圖(tu)文]GaN器(qi)件包(bao)含(han)五項重(zhong)要特征:高(gao)介電強度(du)、高(gao)工(gong)作溫度(du)、大電流(liu)密度(du)、高(gao)開關(guan)速度(du),如何在高(gao)效脈沖跳(tiao)頻模式下(xia)選擇輸出濾(lv)波(1)智能電視(shi)前進路上的三座。
碳化硅袋式脈沖除塵器技術,脈沖除塵設備美化高手-選礦設備_買賣
1200V增強型(xing)碳化(hua)硅縱(zong)向結型(xing)場效應(ying)晶(jing)體(ti)管功率模塊《電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子》2011年第4期開(kai)關測(ce)試(shi)采用(yong)了標(biao)準的雙脈沖感(gan)性(xing)負載電(dian)(dian)路,在600V、100A、溫(wen)度分(fen)別為(wei)25℃和150。
碳化硅電子:全球協會提倡SiC高頻PIN二極管-產業縱橫-行業資訊-
阿里巴巴大量供(gong)應(ying)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅超細磨(mo)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅專用(yong)磨(mo)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅微粉(fen)磨(mo)脈沖除塵器-金屬硅磨(mo)粉(fen),,這里云集了眾多(duo)的供(gong)應(ying)商,采購商,制(zhi)造(zao)商。這里大量供(gong)應(ying)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅超細磨(mo)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅專用(yong)磨(mo)。
硅氮化鎵碳化硅如何為功率設計尋找的工藝和供應商(2)-
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1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功率模塊-維普網-倉儲
[圖文]2012年4月16日-既(ji)能(neng)滿足電子(zi)模塊的(de)正(zheng)常工(gong)作電流(圖1中(zhong)的(de)If),也能(neng)承(cheng)受ISO7637-2脈沖[新品快(kuai)訊(xun)]美(mei)高森(sen)美(mei)推出碳化硅(SiC)材料和(he)技術的(de)全(quan)新1200V肖特(te)基(ji)二極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖(tu)文]標簽:600509石(shi)墨(mo)烯(xi)碳化(hua)硅(gui)背景(jing)資(zi)料(liao)老孟股票具有電(dian)荷這種性質(zhi),電(dian)荷的傳導能夠(gou)形(xing)成(cheng)電(dian)流并成(cheng)為電(dian)子(zi)采用(yong)脈沖電(dian)子(zi)輻(fu)照(zhao)技術在SiC基底(di)上外延石(shi)墨(mo)烯(xi)是我們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二:電流互感器(qi)保護(hu)用于保護(hu)電流互感器(qi)即CTPU.典型應用于互感器(qi)二次過壓保護(hu),此類電阻片的靈活性使其得(de)到(dao)廣范應用,可用于熒光燈(deng)的尖峰脈沖抑制(直徑為26mm的。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的(de)避(bi)(bi)雷器閥片來看,這(zhe)些避(bi)(bi)雷器的(de)閥片所用的(de)碳化硅比(bi)較松散,多(duo)半(ban)是(shi)這(zhe)根(gen)電(dian)(dian)線有脈(mo)沖電(dian)(dian)流渡過(guo),這(zhe)時,測(ce)定在配電(dian)(dian)線路的(de)導體上(shang)感應的(de)電(dian)(dian)壓波形。相應的(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年(nian)8月21日(ri)-尤其是碳(tan)化(hua)硅微粉磨的(de)(de)生產加(jia)工中(zhong),粉塵(chen)外泄(xie)問題為嚴重,上海卓亞礦山機(ji)械(xie)有限公司研究者為其進行相應(ying)的(de)(de)分析與設備的(de)(de)改造實(shi)驗(yan),終得出使用(yong)脈沖(chong)除塵(chen)器的(de)(de)。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖(tu)文]2011年(nian)8月4日-現在(zai)還有許多(duo)公司在(zai)用不(bu)同的基底(di)(如藍寶石和碳化硅)生(sheng)產(chan)GaNLED,這(zhe)些LED該電路(lu)的基本(ben)功(gong)能是(shi)產(chan)生(sheng)低頻、快速、大功(gong)率驅動電流(liu)脈沖信號,輸出脈沖的。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月22日-1998年已有頻率1.3GHz,脈沖輸(shu)出(chu)功率400W的報道[;。2.2碳化(hua)(hua)硅(gui)功率雙極開發(fa)碳化(hua)(hua)硅(gui)BJT的主要問題是提高電流(liu)增益。早期6H-SiCBJT的電流(liu)增益只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈(mo)沖袋式除塵(chen)器(qi),分號機,粉(fen)碎機,氣(qi)流磨,青島精(jing)華PZ粉(fen)碎機的用(yong)途(tu)及適應(ying)范圍(wei):化工等物科(ke)的粉(fen)碎,尤其適用(yong)于碳化硅(gui)、剛玉、石(shi)英、烙煉石(shi)英、石(shi)餾石(shi)等物科(ke)的粉(fen)碎。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化硅顆粒化學鍍鎳(nie)對鐵(tie)基復合材料性(xing)能(neng)的影(ying)響(xiang)張躍波1,宗(zong)亞(ya)平1,曹新建(jian)1,張龍21.東北大學材料各向異(yi)性(xing)與織構教(jiao)育(yu)部實驗室沈陽1108192.金策工業(ye)綜合。