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[圖文]摘要:摘要:研(yan)究了等(deng)離子增強化(hua)學氣相(xiang)淀(dian)積(PECVD)工藝中射頻條(tiao)件(jian)(功率(lv)和(he)頻率(lv))對氮(dan)化(hua)硅薄膜應力的影(ying)響。對于(yu)不同射頻條(tiao)件(jian)下薄膜的測試結果表明:低頻(LF)時氮(dan)化(hua)硅。

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第(di)四(si)節主要(yao)生(sheng)產(chan)設備情況介紹第(di)四(si)章2011-2013年中國碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)結合(he)氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)磚(zhuan)(zhuan)(zhuan)市場圖表(biao):碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)結合(he)氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)磚(zhuan)(zhuan)(zhuan)理化(hua)性質一覽圖圖表(biao):碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)結合(he)氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)磚(zhuan)(zhuan)(zhuan)生(sheng)產(chan)工藝流程。

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河(he)南科(ke)技大學畢業設計(論(lun)文)I噴涂(tu)工藝對氮化硅涂(tu)層品質的影響(xiang)摘要鑄造(zao)因此容易(yi)在制造(zao)工藝中受石(shi)英、石(shi)墨、設備(bei)以及管道(dao)等(deng)的沾污。坩堝的使(shi)用一方面提高。

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技(ji)術難題:1.生產氮化硅錳(meng)從技(ji)術上采用普通硅錳(meng)和普通硅鐵作(zuo)為原料(liao),工藝(yi)上采用物料(liao)5.所用的臥式(shi)(shi)推板窯等加(jia)熱設(she)備(bei)利用電感(gan)應加(jia)熱方式(shi)(shi),在微正壓下(xia)工作(zuo),省(sheng)去了真空。

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制作燒結(jie)鋁(lv)礬(fan)土(tu)粉的(de)設備(bei)《礬(fan)土(tu)技術分析(xi)鋁(lv)礬(fan)土(tu),均勻度,氮化(hua)硅,反應(ying)催化(hua)劑,剛玉陶瓷,》43-BG192114一種變(bian)截面隧(sui)道窯(yao)煅燒高鋁(lv)礬(fan)土(tu)的(de)方法44-BG192114礬(fan)土(tu)面礦脫水(shui)。

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