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碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

陶瓷(ci)材(cai)料等離子發射光譜(pu)法(fa)微量(liang)雜質元(yuan)素(su)測定(ding)微電(dian)子工業(ye)發動(dong)機雜質分析高(gao)溫技(ji)術(shu)聚變裝置微量(liang)元(yuan)素(su)。

碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道

如碲化(hua)鉛(PbTe)、砷(shen)化(hua)銦(InAs)、硫化(hua)鉛(PbS)、碳化(hua)硅(SiC)等。與金(jin)屬材(cai)料不同,半導(dao)體中雜質含量(liang)和外界條件的改變(如溫度變化(hua)、受光照射等),都會使半導(dao)體的。

碳化硅_百度百科

怎樣去除(chu)碳化硅(gui)制品中的(de)雜質(zhi)沒有任何(he)一(yi)件事物是沒有雜質(zhi)的(de),即便是很多化學(xue)原料或者經過多重(zhong)步驟產生的(de)高科技產品,所以,目前市場上出現的(de)碳化硅(gui)產品也有很多雜質(zhi)。但是。

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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司

本發明涉及一種應用X射線(xian)熒(ying)光(guang)光(guang)譜法(fa)(fa)檢測(ce)碳(tan)化(hua)硅(gui)雜質含量的方法(fa)(fa),其(qi)步(bu)驟如下:1、制備(bei)(bei)(bei)測(ce)試樣片;2、制備(bei)(bei)(bei)標準(zhun)樣片:①提(ti)純碳(tan)化(hua)硅(gui)的制樣;②碳(tan)化(hua)硅(gui)提(ti)純,制備(bei)(bei)(bei)出(chu)純品碳(tan)化(hua)硅(gui);③。

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現在的(de)原料主要成分是硅和(he)碳化硅的(de)混合物,里面含有少量鐵雜質,怎樣除(chu)去鐵,請各位(wei)賜教,謝(xie)謝(xie)。

應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國

2012年12月(yue)28日-碳化(hua)硅晶(jing)體中的雜(za)質是:鐵、鋁(lv)、鈣、鎂、硅等的氧化(hua)物和(he)碳化(hua)物,以及它們的共(gong)熔物。這(zhe)些雜(za)質在(zai)冶煉爐熱動力條(tiao)件(jian)下,溫度在(zai)2100——2200℃時被蒸(zheng)發(fa)排。

如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-

[24]β-碳(tan)化硅因其相(xiang)較α-碳(tan)化硅擁有更高的比表面積,所(suo)以可(ke)用(yong)于非均相(xiang)催(cui)化劑的負載體。純的碳(tan)化硅是無(wu)色的,工業用(yong)碳(tan)化硅由于含有鐵(tie)等(deng)雜質而呈(cheng)現棕色黑色晶體。

介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠

開始(shi)時(shi)間(jian)(jian):結束(shu)時(shi)間(jian)(jian):雜質碳加工(gong)工(gong)藝-催(cui)化劑,二氧化碳,碳化硅,X射線,生產碳化硅版(ban)的(de)出(chu)價(jia)/購買(mai)記錄Top一口價(jia):元(yuan)該物品已(yi)下架立即購買(mai)。

碳化硅-維基百科,自由的百科全書

導(dao)熱率(lv):碳化硅制(zhi)品的導(dao)熱率(lv)非常(chang)(chang)非常(chang)(chang)高,熱膨(peng)脹參數(shu)小巧,抗熱震(zhen)性非常(chang)(chang)非常(chang)(chang)高,是(shi)優質的耐火材料。3、電學屬(shu)性恒溫下工業(ye)碳化硅是(shi)一種半導(dao)體,屬(shu)雜質導(dao)電性。高純度。

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舉報文(wen)(wen)檔介紹暫無描述文(wen)(wen)檔分類待分類文(wen)(wen)檔格(ge)式.pdf文(wen)(wen)檔標簽加(jia)熱棒碳(tan)化硅(gui)石墨雜質數值溫度(du)評(ping)(ping)論(lun)評(ping)(ping)論(lun)的時候(hou),請遵紀守法并(bing)注意語言(yan)文(wen)(wen)明,多給文(wen)(wen)檔。

碳化硅的特性和根本機能

碳(tan)化硅中雜質的(de)形(xing)態-碳(tan)化硅中雜質的(de)形(xing)態碳(tan)化硅的(de)研發(fa)(fa)成功并很好的(de)利用是(shi)市場發(fa)(fa)展過程中的(de)一大進步點,特別是(shi)對于1893年(nian)艾奇遜的(de)發(fa)(fa)明(ming)為引子,由此(ci)推出的(de)國內(nei)由趙廣(guang)和。

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2011年6月(yue)14日-碳化硅在現代工業生產中(zhong)的(de)應用范圍比(bi)較(jiao)廣泛,比(bi)較(jiao)為人(ren)們所了解的(de)是(shi)應用于磨(mo)料、磨(mo)具領域。但是(shi)隨著(zhu)科學技術的(de)進(jin)步,人(ren)們對碳化硅的(de)認識(shi)也(ye)逐漸深入,由此開(kai)發。

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碳(tan)化硅(gui)(SiC)是(shi)用石(shi)英砂、石(shi)油焦(或煤焦)、木屑(xie)為原料通過電阻爐高溫冶煉而(er)成。碳(tan)化硅(gui)在大自然(ran)也存(cun)在罕(han)見的(de)礦物,莫桑石(shi)。碳(tan)化硅(gui)又稱<a。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴

碳化(hua)(hua)硅(gui);物理性(xing)(xing)質(zhi)性(xing)(xing)狀:綠(lv)色(se)(se)藍黑色(se)(se)結晶性(xing)(xing)粉末.含(han)雜(za)質(zhi)的碳化(hua)(hua)硅(gui)為(wei)綠(lv)色(se)(se),固(gu)性(xing)(xing)狀:綠(lv)色(se)(se)藍黑色(se)(se)結晶性(xing)(xing)粉末.含(han)雜(za)質(zhi)的碳化(hua)(hua)硅(gui)為(wei)綠(lv)色(se)(se),固(gu)溶有(you)炭和金屬(shu)氧化(hua)(hua)物雜(za)質(zhi)呈黑色(se)(se)。密。

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論(lun)文(wen)天下提供的<二(er)次(ci)(ci)離(li)(li)子(zi)質譜分(fen)(fen)析(xi)碳化硅(gui)(gui)中(zhong)釩雜質含(han)量(liang)的研究;論(lun)文(wen)包括碳化硅(gui)(gui)二(er)次(ci)(ci)離(li)(li)子(zi)質譜釩摻雜定量(liang)分(fen)(fen)析(xi)二(er)次(ci)(ci)離(li)(li)子(zi)質譜分(fen)(fen)析(xi)離(li)(li)子(zi)注(zhu)入樣(yang)品等(deng)其他相關內容論(lun)文(wen)。

jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..

2013年(nian)4月24日-碳(tan)化硅俗稱金剛石,又(you)稱碳(tan)硅石,主要用(yong)作(zuo)耐磨材(cai)(cai)料(liao),耐火材(cai)(cai)料(liao),核反應(ying)堆(dui)材(cai)(cai)料(liao)及制(zhi)造電阻發熱硅碳(tan)棒(管(guan)(guan)),半導體元件,C二級(ji)管(guan)(guan),晶體管(guan)(guan),電器元件,火箭噴管(guan)(guan)等。

加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅

產業領域:新能源光伏需求(qiu)類(lei)型:技術服務需求(qiu)編(bian)號(hao):189-07制粉是(shi)碳化硅微粉生產中的重要工序,但(dan)由于碳化硅的硬度(du)較高(gao),其莫氏硬度(du)為9.5級,在莫氏硬度(du)標準中僅低于金剛石。

碳化硅-搜搜百科

本文采用(yong)ICP-MS法對高(gao)純(chun)碳化硅粉(fen)表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜質(zhi)進行測定,用(yong)氫氟酸溶液浸提試樣(yang)表面雜質(zhi),用(yong)釔做內(nei)標補(bu)償。

碳化硅|化合物-查字典

一種無TiC雜質(zhi)相(xiang)的(de)碳化(hua)硅鈦陶瓷粉(fen)體的(de)合成方法,其特征在于(yu):(1)以Ti粉(fen)、Si粉(fen)和TiC本發明公開了(le)一種低成本無TiC雜質(zhi)相(xiang)的(de)碳化(hua)硅鈦陶瓷粉(fen)體的(de)常壓合成方法,。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-

臨沂市(shi)金蒙(meng)碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)有(you)限公司是一(yi)家擁有(you)國內先(xian)進的碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)微(wei)(wei)粉(fen),黑碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui),綠碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui),綠碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)微(wei)(wei)粉(fen),黑碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)微(wei)(wei)粉(fen),碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)粒度砂(sha),生產線(xian)和工(gong)藝技術,服(fu)務(wu)熱線(xian):400-6291-618。

碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司

2008年5月9日-碳化(hua)硅電(dian)力電(dian)子(zi)(zi)(zi)器(qi)件研發進展與存在(zai)問題,1引言借助于微電(dian)子(zi)(zi)(zi)技術(shu)的長(chang)足(zu)發展,以硅器(qi)件為基礎的電(dian)力電(dian)子(zi)(zi)(zi)技術(shu)因大功率(lv)場效(xiao)應晶體(ti)(ti)管(功率(lv)MOS)和絕緣柵雙極晶體(ti)(ti)。

要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸

1、游離硅。它一(yi)部(bu)分(fen)溶解于(yu)SiC晶體(ti)中,一(yi)部(bu)分(fen)與其雜質(如(ru)鐵(tie)、鋁、鈣等)形成合金而(er)粘附于(yu)晶體(ti)上或嵌在晶體(ti)中。2、游離二氧化硅。通常存在于(yu)晶體(ti)表(biao)面。大都是由于(yu)。

請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧

對SiC中基態施主能(neng)級分裂對雜質(zhi)電離的(de)影響(xiang),與(yu)溫度(du)、摻雜濃度(du)和(he)雜質(zhi)能(neng)級深(shen)度(du)的(de)關系進(jin)行了系統研究。發現只有在高(gao)溫且(qie)摻雜濃度(du)低的(de)情況下,能(neng)級分裂的(de)影響(xiang)很小可忽略(lve)不計。

(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法

氮(dan)化硅結(jie)合碳(tan)化硅材(cai)料(liao)反應燒結(jie)時(shi)的雜質(zhi)相行為分(fen)析,郝小勇;-陶瓷工程1998年第(di)03期在線閱讀、文章下載。<正(zheng);l前言Si3N4結(jie)合SIC材(cai)料(liao)的研(yan)究近(jin)年來在國內發展較快,該。

ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace

分析了Si3N4結合Si3C材(cai)料反應(ying)燒結時(shi)Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等(deng)雜(za)質相的反應(ying)行為(wei)。氮化硅結合碳化硅材(cai)料反應(ying)燒結時(shi)的雜(za)質相行為(wei)分析前言:分析了Si3N4結合Si3C材(cai)料。

碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)

[圖文]目前,國內使用的(de)切割(ge)(ge)液和(he)碳(tan)化硅微粉(fen)在線切割(ge)(ge)過(guo)程中,砂漿中不(bu)可(ke)避免(mian)的(de)會混(hun)入硅粉(fen)、鐵、高聚物等雜質,部分碳(tan)化硅微粉(fen)也會因切割(ge)(ge)作用而出現破損,產生的(de)廢砂漿很難(nan)繼續。

一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼

氮化(hua)硅(gui)結(jie)合碳化(hua)硅(gui)材料反應燒(shao)結(jie)時的(de)雜(za)(za)質相行為分析-分析了Si3N4結(jie)合Si3C材料反應燒(shao)結(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜(za)(za)質相的(de)反應行為。

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碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題

淄博鑄泰碳(tan)(tan)素有限公司碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)簡介:碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)英文名稱:siliconcarbide,俗稱金剛砂。純碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)是無(wu)色(se)透明的晶體。工業(ye)碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)因所含雜質的種(zhong)類和含量不同,而(er)呈淺黃、綠、藍。

工業生產的碳化硅砂除主成分SiC外,通常含有2%~5%的雜質。這些

SiC中基態施主能級分裂對雜質電離的影響-碳化硅;基態施主能級

氮化硅結合碳化硅材料反應燒結時的雜質相行為分析-《陶瓷工程》

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